انتقم Samsung من TSMC من خلال إطلاق إنتاج 3 نانومتر البراغيث

متأخرة بضعة أشهر على جدولها الأولي ،سامسونجتنتج الآن رقائق محفورة وفقًا لعملية 3 نانومتر الجديدة. هذا ما نتعلمه منتشاركها المجموعة في 30 يونيو. في هذه الحالة ، أطلقت Samsung Foundry الإنتاج في مصنع Hwaseong ، جنوب سيول ، ومن خلال العمل لأول مرة بنية الترانزستورات الجديدة. تنتقل المجموعة بالفعل من تقنية FINFET التقليدية (الترانزستور النهائي للنتيجة الميدانية) إلى تصميم MBCFET (البديل ، الذي صممه Samsung ، من GATE في جميع أنحاء ") لتعزيز كفاءة الطاقة من 3 نانومتر.

هذا التطور التكنولوجي المزدوج (الانتقال إلى 3 نانومتر + مرور إلى MBCFET) مهم بالنسبة لشركة Samsung. يمكن أن يسمح له بالفعل بالعودة إلى السباق ضد TAIWANES TSMC ، منافسه الرئيسي في مملكة المسابك المستقلة. لأنه إذا كان الأخير على ما يرامقم بإطلاق إنتاج البراغيث 3 نانومتر هذا العام أيضًا، تخطط فقط للتبديل إلى الهندسة المعمارية GAA مع نقشها في 2 نانومتر ، لا يزال قيد التطوير.

مسبك سامسونج مقدما قليلا (لمرة واحدة)؟

من خلال هذه الزيادة التقنية ، تعد Samsung بأداء إضافي بنسبة 23 ٪ مقارنة بعملية 5 نانومتر القديمة ، وتخفيض استهلاك ما يصل إلى 45 ٪ ، وخفض 16 ٪ في حجم البراغيث. من الخطوة الأولى للمجموعة التي ترغب بوضوح في المضي قدمًا مع جيلها الثاني من رقائق 3 نانومتر. يجب أن يكون هذا الأخير لاستهلاكهم للأسهم بنسبة 5 ٪ إضافية ، وزيادة الأداء بنسبة 30 ٪ مقابل 5 نانومتر ويحمل 35 ٪ رقائق أصغر.

كتذكير ، واجهت Samsung صعوبات في نقشها في 4 نانومتر (مشتقة من العقدة 5 نانومتر). يستخدم بشكل خاص على Snapdragon 8 Gen 1 ، فقد تسبب في مشكلة من حيث الاستهلاك ، مع كفاءة الطاقة أقل من عمليات TSMC المكافئة. اختارت Qualcomm أيضًا استخدام نقش 4 نانومتر من العملاق التايواني في الآونة الأخيرةSnapdragon 8 Gen 1 Plus، أطلق الشهر الماضي. إشارة ربما لم تهرب من سامسونج.

فيما يتعلق بالنقش 3 الجديد للمجموعة الكورية ، تعتقد Phonearena أنها ستصنع أسلحتها على Exynos 2300 المستقبلية. سنرى بعد ذلك ما إذا كانت هذه الحداثة التقنية تسمح لـ Exynos البراغيث باستعادة شعبيتها مع المستخدمين الذين يتوقون إلى الأداء.